Публикации:
Влияние радиации на свойства полупроводников и гетероструктур. Физические основы развития радиационных технологий производства полупроводниковых электронных приборов.

  1. В.Б.Неймаш, М.Г.Соснин, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. Дефектообразование в n-кремнии с примесью гадолиния. ФТП, 1981, т.15, в.4, с.786-788.
  2. Р.С.Антоненко, М.Г.Соснин, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. Дефектообразование в р-кремнии с примесью иттербия. Вестник атомной науки и техники. 1982, в.4(23), с.38-39.
  3. В.Б.Неймаш, М.Г.Соснин, Б.М.Туровский, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. Дефектообразование при электронном облучении р-кремния с примесью олова. ФТП, 1982, -16, -5, 901-903.
  4. В.Б.Неймаш, В.М.Сирацкий, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич, С.Н.Чесноков. Термическое дефектообразование в кремнии с примесью гадолиния. УФЖ, 1987, т.32, №10, с.1550-1552.
  5. Ф.А.Заитов, Ю.М.Добровинский, В.Б.Неймаш, В.М.Цмоць,, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. Рекомбинация в Si после термообработки и гамма-облучения. ФТП.-1987, т.21, в.2082-2084.
  6. В.Б.Неймаш, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. Внутренние геттеры и радиационное дефектообразование в Si. Препринт №25 Института физики АН УССР. 1987. 55 с.
  7. M.G.Milvidsky,V.B. Neimash, V.M.Siratskii, M.G.Sosnin, V.M. Tsmots, V.I. Shakhovtsov, V.L., Shindich. Peculiarities of behavior of irradiated heat treated Si. Material Sci.Forum, v.38-41, pt.1. p.165-170 (Proc. of the 15 Intern. Conf. on defects in semicond. ICDS-15, August 22-26, 1988, Budapest, Hunhary, Ed. by G.Ferenczi).
  8. В.Б.Неймаш, М.Г.Соснин, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич, И.И.Ясковец. Рекомбинация в n-кремнии при термообработке и облучении, ФТП, 1988, -22, -2, 206-209.
  9. В.Б.Неймаш Влияние термообработки на радиационное дефектообразование и деградацию электрофизических параметров кремния под облучением. \\Автореферат канд. дисс. Киев. 1988. Институт физики АН Украины. 12с.
  10. В.Б.Неймаш, В.М.Сирацкий, М.Г.Соснин, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. Влияние термодоноров на радиационное дефектообразование в кремнии. \\ ФТП. 1989, т.23, №2, с.250-252.
  11. А.Н.Крайчинский, В.Б.Неймаш, Т.Р.Саган, В.М.Сирацкий, В.М.Цмоць,В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. Радиационное дефектообразование в Si, термообработанном при 1050С. УФЖ, 1989, т.34, №7, с.1071-1074.
  12. Neimash, V.M.Siratskii, V.I. Shakhovtsov, V.L., Shindich. Influence of thermal defects on the radiation defects crеation in Si. // Радиационное материаловедение. 1990. Т.9, с.104-108 (Труды Международной конференции по радиационному материаловедению. Алушта. 22-25 мая 1990 г.)
  13. В.В.Емцев, Ю.Н.Далуда, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич, В.Б.Неймаш, Р.С.Антоненко, К.Шмальц. Кислородосодержащие термодоноры, образующиеся в кремнии при «горячем облучении». \\ФТП, 1990, т.24, в.2, с.374-377.
  14. В.Б.Неймаш, Т.Р.Саган, В.М.Цмоць,, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич, В.С.Штым. Магнитно упорядоченные кислородосодержащие дефекты в кремнии. В сб. Перспективные материалы твердотельной электроники. Твердотельные преобразователи в автоматике и робототехнике. (МТЭ и ТП-90). Минск, 1990, ч.1, 39-40.
  15. А.Абдураимов, С.Занайбидинов, В.Б.Неймаш, А.Тураев, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. Влияние примеси гадолиния на тензочувствительность кремниевых диодов Шоттки. \\Материалы ХІІ Всесоюзной конференции по физике полупроводников. Киев, 23-25 октября 1990, ч.1, с.39-43.
  16. В.Б.Неймаш, Т.Р.Саган, В.М.Цмоць,, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. Способ получения кремниевых диодов. Авторское свидетельство Госкомизобретений №1819064 от 11.10.1992, заявка №4857232, приоритет изобретения 06.08.1990.
  17. В.Б.Неймаш, Т.Р.Саган, В.М.Цмоць,, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. О некоторых механизмах влияния предварительной термообработки на поведение параметров кремния под облучением. ФТП, 1991, т.25 №11, с.1857-1863.
  18. V.B. Neimash, T.R. Sagan, V.M. Tsmots, V.M.Siratskii, M.G.Sosnin, V.I. Shakhovtsov, V.L.Shindich. On the Role of Uncontrolled sinks in Silicon under Irradiation. Phys. Stat. Solidi. (a) 1991, v.123, p.K95-K100.
  19. V.B. Neimash, T.R. Sagan, V.M. Tsmots, V.M.Siratskii,V.I. Shakhovtsov. Intrinsic gettering of radiation defects in Si caused by high-temperature oxygen containing defects that. Solid State Phenomena 1991, v.19-20, p.87-94.
  20. В.Б.Неймаш, Т.Р.Саган, В.М.Цмоць,, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич, В.С.Штым. Магнитное упорядочение кислородосодержащих термодоноров в Si. УФЖ. 1992, т.37, №3, с.437-441.
  21. Кабалдин А.Н., Неймаш В.Б., Цмоць В.М., Шаховцов В.И., Батунина А.В., Воронков В.В., Воронкова Г.И., Калинушкин В.П Влияние термодоноров на малоугловое рассеяние света в кремнии // УФЖ.-1993.-Т. 38, № 1.- С.34-39.
  22. Kabaldin A.N. , Neimash V.B., Yu.V. Pomosov, V.I. Shakhovtsov. Tsmots V.Ì., The influence of neutron irradiation on the thermaldonors generation and oxygen precipitation in silicon at 650 0C. Sov. Phys. Semicond. 1993, v.27, no.11, p.1654-1658.
  23. A.Н.Кабалдин, В.Б.Неймаш, В.М.Цмоць, В.И.Шаховцов, В.С.Штым. Особенности поведения магнитной восприимчивости в облученном кремнии. УФЖ, 1995, т.40, №.3, с.218-221.
  24. A.Н.Кабалдин, В.Б.Неймаш, В.М.Цмоць, Л.И.Шпинар. Механизмы влияния термодоноров на холловскую подвижность в кремнии. УФЖ. 1995, т.40, №.10, с.1079-1082.
  25. V.B. Neimash, V.C. Yanishevsky, V.M. Tsmots. Generalised model Ising Si=1 on spin net. Ukrainian Physical Journal, 1997, v.42,no.5,p.595-602.
  26. В.Б.Неймаш, В.М.Сірацький, А.М.Крайчинський, О.О.Пузенко. Про деякі властивості термодонорів, що утворюються в кремнії при 530С. УФЖ. 1998, т.43, в.2, с.219-223.
  27. Неймаш В.Б., Сирацкий В.М., Крайчинский А.Н., Пузенко Е.А. Электрические свойства кремния, термообработаного при 530 0С // ФТП.- 1998.- Т.32, В.9.- С.1049-1053.
  28. Кустов В.Е., Неймаш В.Б., Тріпачко М.О, Пузенко О.О., Красько М.М. // Вплив преципітації домішки кисню при 1050 0C на пружні напруження в кремнії // УФЖ.- 1998.- Т.43, В.5.- С.626-629.
  29. Неймаш В.Б., Крайчинский А.Н., Кабалдин А.Н., Цмоць В.М., Пузенко Е.А., Красько Н.Н. Роль микронеоднородного распределения стоков для компонентов пар Френкеля в радиационной деградации свойств монокристаллического кремния // ВАНТ.- 1999.- B.3(75).- C.40-48.
  30. Неймаш В.Б., Пузенко О.О., Кабалдин А.Н., Крайчинский А.Н., Красько М.М. Про деякі особливості генерації та відпалу термодонорів в кремнії // УФЖ.-1999.- Т.44, В.8.- С.1011-1016.
  31. Неймаш В.Б., Пузенко Е.А., Кабалдин А.Н., Крайчинский А.Н., Красько Н.Н. О природе зародышей для образования термодоноров в кремнии // ФТП.- 1999.- Т.33, В.12.- С.1423-1427.
  32. Neimash V.B., Puzenko O.O., Kabaldin O.M., Kraichinskii A.M., Kras’ko M.M., Claeys C., Simoen E. The nature of precursors for the thermal donor formation in silicon // Solid State Phenomena.- 1999.- V.69-70.- P.351-356.
  33. E. Simoen, C. Claeys, V.B. Neimash, A. Kraitchinskii, N. Krasko, O. Puzenko, A. Blondeel, P. Clauws. Deep levels in high-energy proton-irradiated tin-doped n-type Czochralski silicon // Appl. Phys. Lett.- 2000.- V.76, № 20.- P.2838-2840.
  34. E. Simoen, C. Claeys, V.B. Neimash, A. Kraitchinskii, M. Kras’ko, O. Puzenko, A. Blondeel, P. Clauws, G.E.J. Koops, H. Pattyn. Tin-related deep levels in proton-irradiated n-type silicon // Proc. 2-st ENDEASD Workshop (Edited by C.L.Claeys).- Kista-Stockholm (Sweden).- 2000.- P.147-156.
  35. Neimash V.B., Puzenko O.O., Kabaldin O.M., Kraichinskii A.M., Kras’ko M.M., Putselyk S., Claeys C., Simoen E. Microfluctuations of oxygen impurity concentration as a reason of accelerated oxygen diffusion in silicon // Semic. Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.- 2000.- V.3, №1.- P.11-14.
  36. Неймаш В.Б., Крайчинський А.М., Красько М.М., Пузенко О.О., Кабалдін О.М. Вплив домішки олова на генерацію й відпал низькотемпературних термодонорів в n-Si // УФЖ.-2000.- Т.45, В.3.- С.342-349.
  37. V.B. Neimash, A. Kraitchinskii, M. Kras'ko, O. Puzenko, C. Claeys, E.Simoen, B. Svensson and A. Kuznetsov. Influence of tin impurities on the generation and annealing of thermal oxygen donors in czochralski silicon at 450 0C // J. Electrochem. Soc.- 2000.-V.147, № 7.- P.2727-2733.
  38. Неймаш В.Б., Крайчинський А.М., Красько М.М., Пузенко О.О., Сімон Е., Клайз К., Блондiл А., Клаус П. Дефектоутворення в n-кремнії з домішкою олова при опроміненні протонами з енергією 61 МеВ // УФЖ.- 2000.- Т.45, В.9.- С.1121-1125.
  39. C.Claeys, E.Simoen, V.Neimash, A.Kraitchinskii, M.Kras’ko, O.Puzenko, A.Blondeel, and P.Clauws. Tin Doping of Silicon for Controlling Oxygen Precipitation and Radiation Hardness // J.Electrochem.Soc.- 2001.- V.148, N12.-P.G738-G745.
  40. E.Simoen, C.Claeys, A.M.Kraitchinskii, M.M.Kras’ko, V.B.Neimash, and L.I.Shpinar. Radiation Defects and Carrier Lifetime in Tin-Doped n-Type Silicon // Solid State Phenomena.- 2002.-V.82-84.-P.425-430.
  41. Неймаш В.Б., Красько М.М., Крайчинський А.М. Генерація радіаційних і термічних дефектів у кремнії при “гарячому” електронному опромінюванні // УФЖ.- 2002.- Т.47, №1.- С.50-53.
  42. V.Neimash, A.Kraitchinskii, M.Kras’ko, V.Tishchenko, V.Voitovych, E.Simoen and C.Claeys. Impact of High-Temperature Electron Irradiation on the Electrical Parameters of n-Type CZ Silicon // Proc. High Purity Silicon VII, Eds. C.L. Claeys, P. Rai-Choudhury, M. Watanabe and P. Stallhofer, The Electrochem. Soc. Ser. PV 2002-20.- 2002.- pp. 278-289.
  43. В.Б.Неймаш, М.М.Красько, А.М.Крайчинський, В.В.Войтович, В.М.Попов, А.М.Поканевич, М.І.Городиський, О.М.Кабалдін, В.М.Цмоць. Вплив домішки свинцю на радіаційну стабільність монокристалів кремнію // Журнал фізичних досліджень.- 2003.- Т.7, №2.-С.184-187.
  44. E.Simoen, J.M.Rafi, C.Claeys, V.Neimash, A.Kraitchinskii, M.Kras’ko, V.Tishchenko, V.Voitovych, J.Versluys, P.Clauws. Dep levels in High-Temperature 1 MeV Electron-Irradiated n-Type Czochralski Silicon // Jap. J. Appl. Phys.- 2003.-v.42, N12.-pp.7184-7188.
  45. E.Simoen, C.Claeys, V.Neimash, A.Kraitchinskii, M.Kras’ko, V.Tishchenko, V.Voitovych. A deep level study of high-temperature electron-irradiated n-type silicon // Solid State Phenomena.-2004.- V.95-96.- pp.367-372.
  46. A.M.Kraitchinskii, L.I.Shpinar, V.B.Neimash, M.M.Kras’ko, V.V.Tishchenko, V.V.Voytovych. Study of Light scattering processes in silicon single crystals with nonhomogeneous distribution of impurities // Ukr.J.Phys.- 2004.-V.49, N2.- p.146-151.
  47. M.M.Kras’ko, V.V.Voitovych, V.B.Neimash, A.M.Kraitchinskii. Effect of doping by lead on the formation of thermal defects in silicon with increased carbon // Ukr. J. Phys.- 2004.- V.49, N 7.- p. 691-694.
  48. V.Neimash, M.Kras’ko, A.Kraitchinskii, V.Voytovych, V.Tishchenko, E.Simoen, J.M.Rafi, C.Claeys, J.Versluys, O. De Gryse, P.Clauws. DLTS studies of High-Temperature Electron Irradiated Cz n-Si // Phys.St.Sol.(a).-2004.- V.201, N 3.- p.509-516.
  49. A.Kraitchinskii, M.Kras’ko, V.Neimash, L.Shpinar, V.Tishchenko, V.Voitovich, A.O.Goushcha, R.A.Metzler. Small angle light scattering and clusters of thermal donors in Si.// J. Appl.Phys.-2004.-V.96, N12.- pp. 7235-7238.
  50. V.B.Neimash, M.M.Kras’ko, A.M.Kraitchinskii, A.G.Kolosyuk, V.V.Voitovych, E.Simoen, J.-M.Rafi, C.Claeys, J.Versluys, P.Clauws. Investigations by capacitance methods of n-Si irradiated by electrons at 450 oC // Ukr. J. Phys.- 2004.- V.49, N 8.- p. 779-784.
  51. V.Neimash, M.Kras’ko, A.Kraitchinskii, V.Voytovych, O.Kabaldin, V.Tsmots, E.Simoen, C.Claeys. Oxygen precipitation and thermal donor formation in Pb- and C-doped n-type Czochralski silicon// in: High Purity Silicon VIII, Proceeding of the International Symposium, Proc.vol. 2004-2005.- p.286-293.
  52. M.-L.David, E.Simoen, C.Claeys, V.Neimash, M.Kras’ko, A.Kraitchinskii, V.Voytovych, V.Tishchenko, J.F.Barbot. Radiation-induced deep levels in lead and tin doped n-type Czochralski silicon// in: High Purity Silicon VIII, Proceeding of the International Symposium, Proc.vol. 2004-2005.- p. 395-406.
  53. В.Б. Неймаш, В.В. Войтович, A.M. Крайчинський, Л.І.Шпінар, М.М. Красько,В.М. Попов, А.П. Поканевич, М.I. Городиський,Ю.В. Павловський, В.М. Цмоць, О.М. Кабалдiн. Вплив легування ізовалентною домішкою свинцю на параметри n-кремнію // УФЖ.- 2005.- V.50, N 5.- С.492-496.
  54. M. L. David, E. Simoen, C. Claeys, V. Neimash, M. Kras'ko, A. Kraitchinskii, V. Voytovych, A. Kabaldin and J. F. Barbot. Electrically active defects in irradiated n-type Czochralski silicon doped with group IV impurities // J. Phys.: Condens. Matter.- 2005.- Volume 17, Number 22.- p. S2255-S2266.
  55. M.L. David, E. Simoen, C. Claeys, V. Neimash, M. Kras’ko, A. Kraitchinskii, V. Voytovych, A. Kabaldin and J.F. Barbot. On the effect of lead on irradiation induced defects in silicon // Solid State Phenomena.- 2005.- V.108-109.- P. 373-378.
  56. В.Б. Неймаш, В.В. Войтович, М.М. Красько, А.М. Крайчинський,Ю.В. Павловський, О.М. Кабалдін, В.М. Цмоць. Радіаційне дефектоутворення в n-Si з домішками свинцю і вуглецю // УФЖ.- 2005.- V.40, N 11.- С.1273-1277.
  57. Красько М.М., Крайчинський А.М., Неймаш В.Б., Колосюк А.Г., Шпінар Л.І. Про природу негативного відпалу часу життя нерівноважних носіїв заряду в опроміненому n-Si // УФЖ.- 2007.- Т.52, №2.- С.165-169.
  58. Колосюк А.Г., Крайчинський А.М., Красько М.М., Неймаш В.Б., Войтович В.В., Поварчук В.Ю., Кабалдін О.М. Вплив температури при електронному опроміненні на дефектоутворення в n-Si // УФЖ.– 2007.– Т.52, №7.– С.685–689.
  59. Колосюк А.Г., Крайчинський А.М., Красько М.М., Неймаш В.Б., Рогуцький І.С. Температурна залежність ефективності генерації вакансій в n-Si при опроміненні електронами з енергією 1 МеВ // УФЖ.– 2007.– Т.52, №9.– С.869–872.
  60. Красько М.М., Неймаш В.Б., Крайчинський А.М., Колосюк А.Г., Кабалдін О.М. Вплив А- і Е-центрів на деградацію часу життя нерівноважних носіїв заряду в n-Si при γ-опроміненні // УФЖ.- 2008.- Т.53, N 7.- С.686–690.
  61. В.М. Цмоць, П.Г. Литовченко, Ю.В. Павловський, В.В. Войтович, М.М. Лучкевич. Дослідження магнітних, мікромеханічних та структурних змін у кристалах кремнію з ізовалентними домішками, після їх термообробки в області 700-1100 оС. // Журнал фізичних досліджень.-2008.-Т.12, N 4.
  62. Красько Н.Н., Крайчинский А.Н., Колосюк А.Г., Неймаш В.Б., Петруня Р.В., Поварчук В.Ю. Роль отжига в накоплении VO-центров при высокотемпературном электронном облучении, зависимость от интенсивности облучения // Кремний-2009: VI Международная конференция и V школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. - Новосибирск. - 7-10 июля 2009 г.
  63. Колосюк А.Г., Крайчинський А.М., Неймаш В.Б., Красько М.М., Кабалдін О.М., Петруня Р.В., Поварчук В.Ю. Роль фононів в утворенні радіаційних дефектів у кремнії // Тези доповідей IV Української наукової конференції з фізики напівпровідників. - Запоріжжя, 2009. - Т.1. - С.72.
  64. Красько М.М., Крайчинський А.М., Колосюк А.Г., Неймаш В.Б., Петруня Р.В., Поварчук В.Ю. Іонізація як стимулюючий фактор для прискореного відпалу VO-центрів в n–Si // Тези доповідей IV Української наукової конференції з фізики напівпровідників. - Запоріжжя, 2009. - Т.1. - С.179-180.
  65. V.Neimash, A.Kraitchinskii, A.Kolosyuk, M. Krasko, R.Petrunya, V.Makara, V.Kabaldin, V.Tsmots. Role of Phonons on Radiation Defects Formation in Silicon and Germanium // E-MRS 2009 Spring Meeting. - Congress Center, Strasbourg, France, 2009.
  66. R.V. Petrunya, V.A. Makara, V.B. Neimash. Study of generation and annealing kinetics oxygen thermal donors in silicon // IX international young scientists’ conference on applied physics, 17-20 JUNE 2009. - Kyiv, 2009. - P.63.