PostHeaderIcon Неймаш - резюме - укр

Неймаш Володимир Борисович

e-mail: This e-mail address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it

тел. 044 5253973;
ф. 044 5251589;
т\ф. 044 2700281;
м.063 8594242

Посада:

Завідувач Лабораторії радіаційних технологій Інституту фізики Національної академії Наук України.

Академічний статус:

2007 – Доктор фізико-математичних наук. Тема дисертації: „Процеси трансформаці стану домішки кисню в монокристалах кремнію при високо енергетичному опроміненні та термообробках.” (автореферат дис.)

2003 – Старший науковий співробітник. Диплом про наукове звання.

1988 – Кандидат фізико-математичних наук. Тема дисертації: „Вплив термічних обробок на радіаційне дефектоутворення та деградацію електрофізичних параметрів кремнію під опроміненням.”

Освіта:

1983-1987: аспірантура Інституту фізики Академії наук України. м.Київ.

1976-1981: Київський державний університет імені т.Г.Шевченка. Вища освіта за спеціальністю „оптика і спектроскопія, спектральні прилади. Викладач фізики.”

Трудова діяльність:

2010 – до нині: провідний науковий співробітник, завідувач Лабораторії радіаційних технологій Інституту фізики Національної Академії Наук України.

1989 – 2010: старший науковий співробітник Інституту фізики НАН України.

1986 - 1989: науковий співробітник Інституту фізики НАН України.

1983 - 1986: молодший науковий співробітник Інституту фізики НАН України.

1981 – 1983: старший інженер Інституту фізики НАН України.

1978 – 1981: інженер Інституту фізики НАН України.

1976 – 1978: старший лаборант фізичного факультету Київського державного університету ім.Т.Г.Шевченка

Науковий досвід:

Експериментальні дослідження взаємодії високо енергетичної радіації з твердими тілами:

І. Радіаційне дефектоутворення у монокристалах кремнію:

  • вплив теплової передісторії кристалу;
  • вплив легування домішками O; Gd; Yb; C; Sn; Pb;
  • вплив інтенсивності опромінення та температури кристалу;
  • внутрішнє геттерування радіаційних дефектів і домішок у кремнії;
  • роль деформаційної взаємодії у процесах утворення вторинних радіаційних дефектів в кремнії;
  • механізми впливу радіаційних дефектів на параметри кремнію та електронних приладів на його основі;
  • розробка методів підвищення радіаційної стійкості кремнієвих електронних приладів.

II. Вплив ядерної радіації на властивості аморфних і нанокристалічних сплавів на основі системи Fe-Si-B:

  • вплив на динамічні магнітні характеристики;
  • вплив на структуру ближнього порядку;
  • вплив на температуру Кюрі;
  • вплив на температуру кристалізації аморфних сплавів;
  • механізми радіаційної стійкості магнітних параметрів.

Експериментальна фізика термічно та радіаційно індукованих явищ у твердому тілі:

Розпад твердого розчину „глибоких” домішок у кристалах кремнію при 300-800 С.

Утворення SiO2-кластерів в Si в області температур 800 – 1050 °C:

  • вплив нейтронного опромінення на утворення SiO2-кластерів в Si.
  • вплив SiO2-кластерів на внутрішні деформаційні поля в кристалах Si.

Донорні стани кисню в кремнії, термічно індуковані при 450; 530 і 650 °C:

  • вплив домішок Gd, C, Sn, Pb на кінетику генерації термодонорів;
  • вплив гамма-, електронного і нейтронного опромінення на формування кисневих термодонорів;
  • колективні оптичні і магнітні властивості термодонорів в кремнії;
  • взаємодія та взаємовплив термодонорів і радіаційних дефектів.

Розробка методів підвищення термостабільності електричних параметрів Si та електронних приладів на його основі.

Кристалізація аморфних сплавів на основі системи Fe-Si-B:

  • вплив легуючих домішок на розмір кристалітів;
  • вплив температури на кінетику кристалізації;
  • вплив термообробок на магнітні властивості.

Накопичення і трансформація радіаційних дефектів у кристалічному кремнію при високотемпературному опроміненні електронами.

Основні публікації:

  1. В.Б.Неймаш, М.Г.Соснин, Б.М.Туровский, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. Дефектообразование при электронном облучении р-кремния с примесью олова. ФТП, 1982, -16, -5, 901-903.
  2. В.Б.Неймаш, М.Г.Соснин, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич, И.И.Ясковец. Рекомбинация в n-кремнии при термообработке и облучении, ФТП, 1988, -22, -2, 206-209.
  3. В.Б.Неймаш, Т.Р.Саган, В.М.Цмоць,, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. О некоторых механизмах влияния предварительной термообработки на поведение параметров кремния под облучением. ФТП, 1991, т.25 №11, с.1857-1863.
  4. В.Б.Неймаш, Т.Р.Саган, В.М.Цмоць,, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич, В.С.Штым. Магнитное упорядочение кислородосодержащих термодоноров в Si. УФЖ. 1992, т.37, №3, с.437-441.
  5. A.Н.Кабалдин, В.Б.Неймаш, В.М.Цмоць, Л.И.Шпинар. Механизмы влияния термодоноров на холловскую подвижность в кремнии. УФЖ. 1995, т.40, №.10, с.1079-1082.
  6. Neimash V.B., Puzenko O.O., Kabaldin O.M., Kraichinskii A.M., Kras’ko M.M., Claeys C., Simoen E. The nature of precursors for the thermal donor formation in silicon // Solid State Phenomena.- 1999.- V.69-70.- P.351-356.
  7. V.B. Neimash, A. Kraitchinskii, M. Kras'ko, O. Puzenko, C. Claeys, E.Simoen, B. Svensson and A. Kuznetsov. Influence of tin impurities on the generation and annealing of thermal oxygen donors in czochralski silicon at 450 0C // J. Electrochem. Soc.- 2000.-V.147, № 7.- P.2727-2733.
  8. V.Neimash, M.Kras’ko, A.Kraitchinskii, V.Voytovych, V.Tishchenko, E.Simoen, J.M.Rafi, C.Claeys, J.Versluys, O. De Gryse, P.Clauws. DLTS studies of High-Temperature Electron Irradiated Cz n-Si // Phys.St.Sol.(a).-2004.- V.201, N 3.- p.509-516.
  9. M. L. David, E. Simoen, C. Claeys, V. Neimash, M. Kras'ko, A. Kraitchinskii, V. Voytovych, A. Kabaldin and J. F. Barbot. Electrically active defects in irradiated n-type Czochralski silicon doped with group IV impurities // J. Phys.: Condens. Matter.- 2005.- Volume 17, Number 22.- p. S2255-S2266.
  10. Колосюк А.Г., Крайчинський А.М., Красько М.М., Неймаш В.Б., Рогуцький І.С. Температурна залежність ефективності генерації вакансій в n-Si при опроміненні електронами з енергією 1 МеВ // УФЖ.– 2007.– Т.52, №9.– С.869–872.
  11. Неймаш В.Б. Доктор фізико-математичних наук. Процеси трансформації стану домішки кисню в монокристалах кремнію при високо енергетичному опроміненні та термообробках. Автореферат докт. дис.. Київ, 2007, 39 с.
  12. В. Ю. Поварчук, В.Б. Неймаш, А. М. Крайчинський, В.К. Носенко, В.В. Маслов, Г.М. Зелінська. Вплив електронного і гамма-опромінення на структуру аморфних сплавів Fe-Si-B. // УФЖ – 2008 – Т.53 – №10 – С. 972 – 979.
  13. М.М. Красько, А.М. Крайчинський, А.Г. Колосюк, В.Б. Неймаш, В.А. Макара, Р.В. Петруня, В.Ю. Поварчук, В.В. Войтович. Вплив інтенсивності електронного опромінення на утворення і відпал VO-центрів у кремнії при високих температурах // УФЖ.- 2010.- Т.55, № 7.- С.793–800.
  14. Anatolii Kraitchinskii, Andrii Kolosiuk, Mykola Kras’ko, Volodymyr Neimash, Vasul Voitovych, Volodymyr Makara, Ruslan Petrunya and Sergii Putselyk. Vacancy generation in silicon in the temperature range 100–633K under electron irradiation // Radiation Effects and Defects in Solids.- 2011.- V.166, № 6.- P.445–450.
  15. M. Kras’ko, A. Kraitchinskii, A. Kolosiuk, V. Neimash, V. Voitovych, V. Makara, R. Petrunya and V. Povarchuk. Accumulation of VO Defects in n-Si at High-temperature Pulse Electron Irradiation: Generation and Annealing Kinetics, Dependence on Irradiation Intensity // Solid State Phenomena.- 2011.- V.178-179.- P.404-409.
  16. А.М. Крайчинський, М.М. Красько, А.Г. Колосюк, Р.В. Петруня, В.Ю. Поварчук, В.В Войтович, В.Б. Неймаш, В.А. Макара, Р.М. Руденко. Mеханізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні // УФЖ.- 2011.- Т.56, № 9.- С.926–932.
  17. Войтович В.В., Неймаш В.Б., Красько Н.Н., Колосюк А.Г., Поварчук В.Ю., Руденко Р.М., Макара В.А., Петруня Р.В., Юхимчук В.О., Стрельчук В.В. Влияние примеси Sn на оптические и структурные свойства тонких кремниевых пленок // ФТП.- 2011.-Т. 45, В. 10.- С. 1331-1335.
 
Russian English German Polish Ukrainian