Неймаш Владимир Борисович

e-mail: This e-mail address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it

тел. 044 4964897;
ф. 044 5251589;
т\ф. 044 2700281;
м.063 8594242

Должность:

Заведующий Лаборатории радиационных технологий Института физики Национальной академии наук Украины.

Академический статус:

2007 - Доктор физико-математических наук. Тема диссертации: "Процессы трансформации состояния примеси кислорода в монокристаллах кремния при высоко энергетическом облучении и термообработка." (автореферат дис.)

2003 - Старший научный сотрудник. Диплом о научном звании.

1988 - Кандидат физико-математических наук. Тема диссертации: "Влияние термических обработок на радиационное дефектообразования и деградацию электрофизических параметров кремния под облучением."

Образование:

 

1983-1987: аспирантура Института физики Академии наук Украины. г.Киев.

1976-1981: Киевский государственный университет имени Т. Шевченка. Высшее образование по специальности "Оптика и спектроскопия, спектральные приборы. Преподаватель физики."

Трудовая деятельность:

2010 - до сегодня: ведущий научный сотрудник, и. о. заведующего Лаборатории радиационных технологий Института физики НАН Украины.

1989 - 2010: старший научный сотрудник Института физики НАН Украины.

1986 - 1989: научный сотрудник Института физики НАН Украины.

1983 - 1986: младший научный сотрудник Института физики НАН Украины.

1981 - 1983: старший инженер Института физики НАН Украины.

1978 - 1981: инженер Института физики НАН Украины.

1976 - 1978: старший лаборант физического факультета Киевского государственного университета им. Т. Шевченка

Научный опыт:

Экспериментальные исследования взаимодействия высоко энергетической радиации с твердыми телами:

І. Радиационное дефектообразования в монокристаллах кремния:

  • воздействие тепловой предыстории кристалла;
  • влияние легирования примесями O; Gd; Yb; C; Sn; Pb;
  • влияние интенсивности излучения и температуры кристалла;
  • внутреннее геттерирование радиационных дефектов и примесей в кремнии;
  • роль деформационного взаимодействия в процессах образования вторичных радиационных дефектов в кремнии;
  • механизмы влияния радиационных дефектов на параметры кремния и электронных приборов на его основе;
  • разработка методов повышения радиационной стойкости кремниевых электронных приборов.

II. Влияние ядерной радиации на свойства аморфных и нанокристаллических сплавов на основе системы Fe-Si-B:

  • влияние на динамические магнитные характеристики;
  • влияние на структуру ближнего порядка;
  • влияние на температуру Кюри;
  • влияние на температуру кристаллизации аморфных сплавов;
  • механизмы радиационной стойкости магнитных параметров.

Экспериментальная физика термически и радиационно индуцированных явлений в твердом теле:

Распад твердого раствора "глубоких" примесей в кристаллах кремния при 300-800 °С.

Образование SiO 2-кластеров в Si в области температур 800 - 1050 °C:

  • влияние нейтронного облучения на образование SiO2-кластеров в Si.
  • влияние SiO 2-кластеров на внутренние деформационные поля в кристаллах Si.

донорные состояния кислорода в кремнии, термически индуцированные при 450; 530 и 650 ° C:

  • влияние примесей Gd, C, Sn, Pb на кинетику генерации термодоноров;;
  • влияние гамма-, электронного и нейтронного облучения на формирование кислородных термодоноров;
  • коллективные оптические и магнитные свойства термодоноров в кремнии;
  • взаимодействие и взаимовлияние термодоноров и радиационных дефектов.

Разработка методов повышения термостабильности электрических параметров Si и электронных приборов на его основе.

Кристаллизация аморфных сплавов на основе системы Fe-Si-B:

  • влияние легирующих примесей на размер кристаллитов;
  • влияние температуры на кинетику кристаллизации;
  • влияние термообработок на магнитные свойства.

Накопление и трансформация радиационных дефектов в кристаллическом кремния при высокотемпературном облучении электронами.

Основные публикации :

  1. В.Б.Неймаш, М.Г.Соснин, Б.М.Туровский, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. Дефектообразование при электронном облучении р-кремния с примесью олова. ФТП, 1982, -16, -5, 901-903.
  2. В.Б.Неймаш, М.Г.Соснин, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич, И.И.Ясковец. Рекомбинация в n-кремнии при термообработке и облучении, ФТП, 1988, -22, -2, 206-209.
  3. В.Б.Неймаш, Т.Р.Саган, В.М.Цмоць,, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. О некоторых механизмах влияния предварительной термообработки на поведение параметров кремния под облучением. ФТП, 1991, т.25 №11, с.1857-1863.
  4. В.Б.Неймаш, Т.Р.Саган, В.М.Цмоць,, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич, В.С.Штым. Магнитное упорядочение кислородосодержащих термодоноров в Si. УФЖ. 1992, т.37, №3, с.437-441.
  5. A.Н.Кабалдин, В.Б.Неймаш, В.М.Цмоць, Л.И.Шпинар. Механизмы влияния термодоноров на холловскую подвижность в кремнии. УФЖ. 1995, т.40, №.10, с.1079-1082.
  6. Neimash V.B., Puzenko O.O., Kabaldin O.M., Kraichinskii A.M., Kras’ko M.M., Claeys C., Simoen E. The nature of precursors for the thermal donor formation in silicon // Solid State Phenomena.- 1999.- V.69-70.- P.351-356.
  7. V.B. Neimash, A. Kraitchinskii, M. Kras'ko, O. Puzenko, C. Claeys, E.Simoen, B. Svensson and A. Kuznetsov. Influence of tin impurities on the generation and annealing of thermal oxygen donors in czochralski silicon at 450 0C // J. Electrochem. Soc.- 2000.-V.147, № 7.- P.2727-2733.
  8. V.Neimash, M.Kras’ko, A.Kraitchinskii, V.Voytovych, V.Tishchenko, E.Simoen, J.M.Rafi, C.Claeys, J.Versluys, O. De Gryse, P.Clauws. DLTS studies of High-Temperature Electron Irradiated Cz n-Si // Phys.St.Sol.(a).-2004.- V.201, N 3.- p.509-516.
  9. M. L. David, E. Simoen, C. Claeys, V. Neimash, M. Kras'ko, A. Kraitchinskii, V. Voytovych, A. Kabaldin and J. F. Barbot. Electrically active defects in irradiated n-type Czochralski silicon doped with group IV impurities // J. Phys.: Condens. Matter.- 2005.- Volume 17, Number 22.- p. S2255-S2266.
  10. Колосюк А.Г., Крайчинський А.М., Красько М.М., Неймаш В.Б., Рогуцький І.С. Температурна залежність ефективності генерації вакансій в n-Si при опроміненні електронами з енергією 1 МеВ // УФЖ.– 2007.– Т.52, №9.– С.869–872.
  11. Неймаш В.Б. Доктор фізико-математичних наук. Процеси трансформації стану домішки кисню в монокристалах кремнію при високо енергетичному опроміненні та термообробках. Автореферат докт. дис.. Київ, 2007, 39 с.
  12. В. Ю. Поварчук, В.Б. Неймаш, А. М. Крайчинський, В.К. Носенко, В.В. Маслов, Г.М. Зелінська. Вплив електронного і гамма-опромінення на структуру аморфних сплавів Fe-Si-B. // УФЖ – 2008 – Т.53 – №10 – С. 972 – 979.
  13. М.М. Красько, А.М. Крайчинський, А.Г. Колосюк, В.Б. Неймаш, В.А. Макара, Р.В. Петруня, В.Ю. Поварчук, В.В. Войтович. Вплив інтенсивності електронного опромінення на утворення і відпал VO-центрів у кремнії при високих температурах // УФЖ.- 2010.- Т.55, № 7.- С.793–800.
  14. Anatolii Kraitchinskii, Andrii Kolosiuk, Mykola Kras’ko, Volodymyr Neimash, Vasul Voitovych, Volodymyr Makara, Ruslan Petrunya and Sergii Putselyk. Vacancy generation in silicon in the temperature range 100–633K under electron irradiation // Radiation Effects and Defects in Solids.- 2011.- V.166, № 6.- P.445–450.
  15. M. Kras’ko, A. Kraitchinskii, A. Kolosiuk, V. Neimash, V. Voitovych, V. Makara, R. Petrunya and V. Povarchuk. Accumulation of VO Defects in n-Si at High-temperature Pulse Electron Irradiation: Generation and Annealing Kinetics, Dependence on Irradiation Intensity // Solid State Phenomena.- 2011.- V.178-179.- P.404-409.
  16. А.М. Крайчинський, М.М. Красько, А.Г. Колосюк, Р.В. Петруня, В.Ю. Поварчук, В.В Войтович, В.Б. Неймаш, В.А. Макара, Р.М. Руденко. Mеханізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні // УФЖ.- 2011.- Т.56, № 9.- С.926–932.
  17. Войтович В.В., Неймаш В.Б., Красько Н.Н., Колосюк А.Г., Поварчук В.Ю., Руденко Р.М., Макара В.А., Петруня Р.В., Юхимчук В.О., Стрельчук В.В. Влияние примеси Sn на оптические и структурные свойства тонких кремниевых пленок // ФТП.- 2011.-Т. 45, В. 10.- С. 1331-1335.

 

 
Russian English German Polish Ukrainian